Готова к серийному выпуску память в 20 раз быстрее флэш
16 март 2016 20:40 #35156
от ICT
ICT создал тему: Готова к серийному выпуску память в 20 раз быстрее флэш
Соглашение о сотрудничестве Китайская компания Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC), называющая себя одним из ведущих в мире производителей полупроводниковой продукции (пятое место в 2014 г., согласно Gartner), первой среди других заключила соглашение с американской Crossbar о лицензировании ее резистивной памяти с произвольным доступом (Resistive Random Access Memory — RRAM). Согласно совместному заявлению, SMIC будет выпускать на базе 40-нм техпроцесса блоки RRAM под заказ для их последующей интеграции заказчиками в микроконтроллеры и «системы на чипе». Как уверяют партнеры, заказчики легко с этим справятся. Дело в том, что ячейки RRAM интегрируются в стандартные CMOS-процессы между двумя металлическими полосками стандартной CMOS-подложки. Это позволяет помещать их на тот же кристалл, на котором находятся вычислительные ядра процессоров, аналоговые и RF-компоненты.
Партнеры рассчитывают, что RRAM найдет применение в устройствах интернета вещей, носимых и планшетных компьютерах, разнообразной потребительской, промышленной и автомобильной электронике. Компании не уточнили, удалось ли им найти первых заказчиков. http://filearchive.cnews.ru/img/cnews/2016/03/16/mem500.jpg"> [b]Память RRAM от Crossbar под микроскопом[/b] [b]История памяти RRAM[/b] Идею RRAM еще в 1971 г. подал профессор Калифорнийского университета в Беркли [b]Леон Чуа[/b] (Leon Chua). Он изобрел мемристор и предложил сделать его четвертым элементом электрической схемы — в дополнение к резистору, катушке индуктивности и конденсатору. В 2008 г. исследователи из HP Labs сообщили о состоятельности теории Чуа, доказав ее математическим способом и построив первый мемристор в своей лаборатории. «Мы разгадали загадку десятилетий. Мемристор действительно существует», — заявили тогда в компании. Hewlett-Packard дала памяти, состоящей из мемристоров, название ReRAM (Resistive Random Access Memory — резистивная память со случайным доступом). [b]Память Crossbar[/b] В 2013 г. о себе заявила калифорнийская компания Crossbar. Она [url=http://www.cnews.ru/news/top/2016-03-16_kitajtsy_nachnut_vypusk_mificheskih_memristorov] Ссылка на источник[/url][img]http://filearchive.cnews.ru/img/cnews/2016/03/16/mem500.jpg">
Память RRAM от Crossbar под микроскопом История памяти RRAM Идею RRAM еще в 1971 г. подал профессор Калифорнийского университета в Беркли Леон Чуа (Leon Chua). Он изобрел мемристор и предложил сделать его четвертым элементом электрической схемы — в дополнение к резистору, катушке индуктивности и конденсатору. В 2008 г. исследователи из HP Labs сообщили о состоятельности теории Чуа, доказав ее математическим способом и построив первый мемристор в своей лаборатории. «Мы разгадали загадку десятилетий. Мемристор действительно существует», — заявили тогда в компании. Hewlett-Packard дала памяти, состоящей из мемристоров, название ReRAM (Resistive Random Access Memory — резистивная память со случайным доступом). Память Crossbar
В 2013 г. о себе заявила калифорнийская компания Crossbar. Она Ссылка на источник
Партнеры рассчитывают, что RRAM найдет применение в устройствах интернета вещей, носимых и планшетных компьютерах, разнообразной потребительской, промышленной и автомобильной электронике. Компании не уточнили, удалось ли им найти первых заказчиков. http://filearchive.cnews.ru/img/cnews/2016/03/16/mem500.jpg"> [b]Память RRAM от Crossbar под микроскопом[/b] [b]История памяти RRAM[/b] Идею RRAM еще в 1971 г. подал профессор Калифорнийского университета в Беркли [b]Леон Чуа[/b] (Leon Chua). Он изобрел мемристор и предложил сделать его четвертым элементом электрической схемы — в дополнение к резистору, катушке индуктивности и конденсатору. В 2008 г. исследователи из HP Labs сообщили о состоятельности теории Чуа, доказав ее математическим способом и построив первый мемристор в своей лаборатории. «Мы разгадали загадку десятилетий. Мемристор действительно существует», — заявили тогда в компании. Hewlett-Packard дала памяти, состоящей из мемристоров, название ReRAM (Resistive Random Access Memory — резистивная память со случайным доступом). [b]Память Crossbar[/b] В 2013 г. о себе заявила калифорнийская компания Crossbar. Она [url=http://www.cnews.ru/news/top/2016-03-16_kitajtsy_nachnut_vypusk_mificheskih_memristorov] Ссылка на источник[/url][img]http://filearchive.cnews.ru/img/cnews/2016/03/16/mem500.jpg">
Память RRAM от Crossbar под микроскопом История памяти RRAM Идею RRAM еще в 1971 г. подал профессор Калифорнийского университета в Беркли Леон Чуа (Leon Chua). Он изобрел мемристор и предложил сделать его четвертым элементом электрической схемы — в дополнение к резистору, катушке индуктивности и конденсатору. В 2008 г. исследователи из HP Labs сообщили о состоятельности теории Чуа, доказав ее математическим способом и построив первый мемристор в своей лаборатории. «Мы разгадали загадку десятилетий. Мемристор действительно существует», — заявили тогда в компании. Hewlett-Packard дала памяти, состоящей из мемристоров, название ReRAM (Resistive Random Access Memory — резистивная память со случайным доступом). Память Crossbar
В 2013 г. о себе заявила калифорнийская компания Crossbar. Она Ссылка на источник
Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.
Похожие статьи
Тема | Релевантность | Дата |
---|---|---|
К серийному выпуску готова память в 20 раз быстрее флэш | 44.3 | Среда, 16 марта 2016 |
HP и SanDisk создают память в 1000 раз быстрее флэш | 21.03 | Вторник, 13 октября 2015 |
Intel выпускает память в 1000 раз быстрее и долговечнее флэш | 20.8 | Вторник, 14 июня 2016 |
Apple дала старт серийному выпуску iPhone 6S | 16.58 | Понедельник, 29 июня 2015 |
LG приступила к серийному выпуску гибких дисплеев для смартфонов: их можно будет свернуть до 100 тысяч раз | 15.9 | Понедельник, 21 сентября 2015 |
Samsung создал флэш-память на 128 ГБ для дешевых смартфонов | 14.49 | Четверг, 19 марта 2015 |
Samsung запускает в производство 128-гигабайтную UFS 2.0 флэш-память для смартфонов | 14.34 | Среда, 11 марта 2015 |
Toshiba представила 24-нм флэш-память SLC NAND в корпусе TSOP | 14.34 | Понедельник, 26 сентября 2016 |
Toshiba представила 15-нм флэш-память eMMC NAND для автомобильных устройств | 14.19 | Пятница, 15 января 2016 |
Компания «друга Путина» готова к выпуску 10-килограммовых ноутбуков на «Эльбрусах» | 13.4 | Четверг, 02 августа 2018 |