Samsung разработал новый терабитовый чип памяти
09 авг 2017 14:35 #59952
от ICT
ICT создал тему: Samsung разработал новый терабитовый чип памяти
Компания Samsung представила новые решения памяти V-NAND (Vertical NAND) и технологию, которая позволит удовлетворить жесткие требования систем для обработки и хранения данных следующего поколения. В компании отмечают, что в связи с быстрым увеличением количества задач с интенсивной обработкой данных во многих отраслях, где используются технологии искусственного интеллекта и интернета вещей, флэш-память стала играть критически важную роль в плане увеличения скорости извлечения данных для анализа в режиме реального времени. На проведенном мероприятии Samsung Tech Day и конференции Flash Memory Summit компания продемонстрировала решения, которые, по мнению разработчиков, позволят решить проблемы, связанные с обработкой данных нового поколения. Наиболее важные новинки — это новейшая технология компании V-NAND и линейка твердотельных дисков (SSD). Эти решения будут активно использоваться в современных задачах, где требуется интенсивная обработка больших объемов данных, например, в высокопроизводительных вычислениях, машинном самообучении, аналитике в режиме реального времени и параллельных вычислениях. «Наши новые передовые технологии V-NAND позволят предложить более интеллектуальные и экономичные решения, обеспечивая высокую скорость обработки данных, увеличенную масштабируемость системы и ультранизкую задержку для современных очень требовательных облачных задач, — заявил Гйойунг Джин (Gyoyoung Jin), исполнительный вице-президент и руководитель подразделения решений памяти, Samsung Electronics. — Мы продолжим разрабатывать инновации в области флэш-памяти, используя свой опыт работы с современными технологиями памяти 3D-NAND, что позволит значительно расширить способы обработки больших объемов данных». Чип 1 ТБ V-NAND будет доступен в следующем году. Впервые эта разработка была упомянута в 2013 г., когда было представлено первое в отрасли решение 3D NAND. После этого компания Samsung работала над тем, чтобы на основе своих базовых технологий памяти обеспечить емкость в 1ТБ на одном чипе, где используется структура V-NAND. Появление чипа 1 ТБ V-NAND в следующем году позволит добиться объема памяти 2 ТБ в одном пакете V-NAND путем объединения 16 кристаллов по 1 ТБ. В компании считают, что это один из наиболее важных прорывов в сфере разработки решений памяти. Первый в отрасли твердотельный диск 16 ТБ NGSFF позволит значительно увеличить емкость памяти и показатели ввода-вывода в секунду (IOPS) для современных стоечных серверов 1U. Благодаря размерам 30,5 мм х 110 мм х 4,38 мм, твердотельный диск NGSFF Samsung обеспечит для серверов в крупных центрах обработки данных более оптимальное использование пространства и возможности для масштабирования. В компании рассчитали, что использование нового диска NGSFF вместо дисков М.2 в сервере 1U может увеличить емкость памяти системы в четыре раза. Чтобы показать эти преимущества, компания Samsung представила демонстрационную серверную систему с объемом памяти 576 ТБ в стойке 1U, в которой используется 36 твердотельных дисков 16 ТБ NGSFF. Демонстрационная система 1U может обрабатывать около 10 млн операций ввода-вывода в секунду при произвольном чтении: это в три раза больше по сравнению с сервером 1U на базе 2,5-дюймовых твердотельных дисков. Используя всего лишь две системы по 576 ТБ, можно добиться объема памяти в 1 ПБ. Компания Samsung планирует начать серийное производство первых твердотельных дисков NGSFF в четвертом квартале этого года. На данный момент компания работает над стандартизацией формфактора вместе с отраслевыми партнерами. После представления в прошлом году своей технологии Z-SSD компания Samsung продемонстрировала свой первый продукт на базе этой технологии — SZ985. Благодаря ультранизкой задержке и высокой производительности, твердотельный диск Z-SSD будет использоваться в центрах обработки данных и корпоративных системах, которые выполняют задачи по интенсивной обработке очень больших объемов данных, например, в аналитике больших данных в режиме реального времени и высокопроизводительном кешировании серверов. Компания Samsung сотрудничает с несколькими своими клиентами в плане интеграции Z-SSD в будущие устройства. Модель Samsung SZ985 демонстрирует задержку при чтении всего лишь 15 мксек: это приблизительно в семь раз меньше по сравнению с твердотельным диском NVMe. На уровне приложений использование твердотельных дисков Z-SSD Samsung может уменьшить время отклика в 12 раз по сравнению с моделями NVMe. Благодаря быстрому времени отклика новый твердотельный диск Z-SSD будет играть ключевую роль в устранении «узких мест» в корпоративных системах, снижая таким образом совокупную стоимость владения (ССВ). Компания Samsung также представила новую технологию под названием Key Value SSD. Название связано с совершенно новым методом обработки сложных наборов данных. В связи с резким ростом использования сервисов социальных сетей и приложений IoT, в результате чего создаются объектные данные, такие как текст, графика, звуковые файлы и видеофайлы, значительно увеличивается сложность обработки этих данных. Сегодня твердотельные диски преобразуют объектные данные самых разнообразных размеров в фрагменты данных определенного размера, которые называются «блоками». Для использования этих блоков требуются процессы по реализации, которые включают шаги LBA (адресация логических блоков) и PBA (адресация физических блоков). Однако новая технология Key Value SSD от Samsung позволяет твердотельным дискам обрабатывать данные без преобразования в блоки. Вместо этого технология назначает «ключ» или определенное расположение каждому «значению» или сегменту объектных данных — независимо от его размера. Ключ позволяет напрямую обращаться к расположению данных, что, в свою очередь, обеспечивает масштабирование системы хранения данных. Решение позволяет масштабировать системы на основе твердотельных дисков в вертикальном и горизонтальном измерении в плане производительности и емкости. Как результат, когда данные считываются или записываются, Key Value SSD может уменьшить количество излишних шагов, что увеличивает скорость ввода и вывода данных, а также повышает совокупную стоимость владения и значительно продлевает срок службы твердотельного диска. Your browser does not support the video tag.
CNews Forum 2017: Информационные технологии завтра
Ссылка на источник
Пожалуйста Войти или Регистрация, чтобы присоединиться к беседе.
Похожие статьи
Тема | Релевантность | Дата |
---|---|---|
НИИМЭ разработал новую ячейку энергонезависимой памяти для серийно выпускаемых микросхем | 11.32 | Четверг, 22 марта 2018 |
Samsung выпустит смартфоны с 512 ГБ памяти | 10 | Среда, 06 декабря 2017 |
Samsung расширяет модельный ряд носителей памяти | 9.89 | Понедельник, 24 августа 2015 |
Samsung презентовала 10-нм модуль памяти LPDDR4 на 6 ГБ | 9.89 | Пятница, 20 мая 2016 |
Анонсирован Samsung Galaxy C9 Pro с 6 ГБ оперативной памяти | 9.89 | Понедельник, 24 октября 2016 |
Samsung Galaxy S8 не получит 8 ГБ оперативной памяти | 9.89 | Понедельник, 28 ноября 2016 |
Samsung Galaxy S9+ получит 6 ГБ оперативной памяти | 9.89 | Понедельник, 08 января 2018 |
Новый чип памяти Intel в 1000 раз быстрее флэша | 9.83 | Среда, 29 июля 2015 |
Samsung Electronics выпустила новые карты памяти PRO Plus и EVO Plus | 9.78 | Вторник, 12 мая 2015 |
Samsung анонсировала карту памяти microSD объемом 256 ГБ | 9.78 | Среда, 11 мая 2016 |