5G: : Renesas

Renesas Electronics Corporation расширила семейство интегральных схем формирователя луча 5G двумя новыми устройствами для диапазона миллиметровых волн (mmWave) с двойной поляризацией. SoC оптимизированы для архитектуры антенн 2 x 2 5G и поддержки широкополосных беспроводных применений с лучшей в своем классе производительностью в диапазонах n257, n258 и 261. Чипсеты трансиверов F5288 и F5268 (8T8R) расположены в небольшом корпусе BGA 5,1 x 5,1 мм и обеспечивают рекордную линейную выходную мощность более 15,5 dBm на канал, утверждает компании. Можно ожидать, что использование этих чипсетов в различном радиооборудовании сетей 5G, включая базовые станции, малые соты, микро-BS и CPE, обеспечивает увеличенный потенциальный радиус действия этих устройств. Новые микросхемы F5288 и F5268 поддерживают технологию динамической мощности (DAP), что позволяет добиваться высокой эффективности и, в частности, программно управлять мощностью в диапазоне от 10 до 16 dBm. Навин Яндуру, вице-президент подразделения продуктов радиосвязи Renesas, комментирует: «Новые интегральные схемы формирователя луча Renesas кардинально меняют правила игры на развивающемся рынке, предлагая небольшие интегрированные решения для формирования луча с высокой выходной мощностью, которые позволяют заказчикам связи реализовать экономичные базовые станции и конструкции FWA для беспроводных приложений большого радиуса действия». В микросхемы F5288 и F5268 поддерживается ряд технологий Renesas для повышения производительности. Технология DAP позволяет плавно масштабировать выходную мощность с высокой эффективностью. Технология ArraySense с комплексной встроенной сенсорной сетью позволяет пользователям отслеживать производительность ИС и вносить необходимую коррекцию в режиме реального времени. Усовершенствованная технология цифрового управления RapidBeam обеспечивает одновременное синхронное и асинхронное управление несколькими ИС формирователя луча для ускорения управления лучом. Дополнительные возможности включают:

• Поддержка диапазонов: 26,5 до 29,5 ГГц (F5288) и от 24,25 до 27,5 ГГц (F5268)
• Усовершенствованные методы температурной компенсации для минимизации ухудшения характеристик РЧ при изменении температуры
• Регулировка фазы и усиления, включая диапазон регулировки фазы на 360 градусов с истинным 6-битным разрешением и регулировка усиления до 31,5 дБ с шагом 0,5 дБ
• Улучшенные режимы линейности Rx для обеспечения дополнительной гибкости для линейки приемников
• Коэффициент шума Rx составляет ~ 4,5 дБ при комнатной температуре и менее 5,5 дБ при температуре до 95 ° C.

Подробнее на англ. - microwavejournal.com -- теги: пятое поколение микроэлектроника телеком компоненты трансиверы микросхемы -- Ссылка на источник