«Росэлектроника» приступила к разработке перспективных типов транзисторов

«Росэлектроника» (госкорпорация «Ростех») объявила о начале разработки перспективных типов транзисторов, относящихся к самым передовым мировым научно-техническим решениям. Как рассказали CNews в компании, государственный завод «Пульсар» (Москва) приступил к проектированию транзистора на основе нитрида галлия (GaN) – широкозонном полупроводнике, открывающем большие возможности в производстве блоков питания различных типов, развитии мобильной и космической связи. Специалисты предприятия планируют получить опытные образцы нового изделия уже в 2017 г. НПП «Салют» (Нижний Новгород) приступило к изысканиям в сфере создания так называемых спиновых полевых транзисторов. Этот тип полупроводниковых приборов отличает высокая скорость переключений между состояниями транзистора и низкое энергопотребление. «Новые разработки в сфере полупроводников в конечном счете обеспечивают эффективность техники будущего вне зависимости от сферы ее применения. Это основа грядущей цифровой эры. Поэтому Росэлектроника прилагает все возможные усилия для обеспечения перспективных разработок и превращения их в готовое изделие с высококонкурентными параметрами», - сказал генеральный директор «Росэлектроники» Игорь Козлов. Развитие производства мощных переключательных транзисторов, созданных на основе GaN, как ожидается, уже в ближайшее десятилетие приведет к значительному уменьшению габаритов блоков питания, адаптеров, зарядных устройств, позволит сократить массу и повысить эффективность электромобилей и гибридов. В мобильной связи пятого поколения мощные СВЧ-транзисторы на основе GaN позволят увеличить объемы передаваемого трафика за счет большего диапазона частот. На сегодня разработчики «Пульсара» совместно с институтом сверхчастотной полупроводниковой электроники РАН (Москва) провели работы по созданию приемопередающих модулей в диапазонах 23-25 ГГц и 57-64 ГГц. Это позволит уже в ближайшее время выпускать монолитные интегральные схемы на основе широкозонных полупроводников. Приборы на основе GaN обладают высокой радиационной стойкостью, что обуславливает их широкое проникновение в отрасль космической связи. Серийное производство спиновых транзисторов в настоящее время еще нигде в мире не налажено. Специалисты «Салюта» совместно с учеными научно-исследовательского физико-технического института Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского проводят аналитические исследования и патентные поиски в сфере спиновых транзисторов. Основная идея спиновых транзисторов заключается в том, что электроны, инжектируемые в канал транзистора, проходят через ферромагнитный «исток», где приобретают определенную поляризацию. Под действием приложенного электромагнитного поля в канале спины электронов испытывают прецессию и подходят к уже ферромагнитному «стоку». Направление поляризации спина электронов определяется приложенным напряжением на затворе. Существуют два варианта, когда спин-поляризованный ток проходит через «сток», либо же, когда спинового тока нет. Технологически процесс изготовления спиновых транзисторов, как ожидается, подобен технологиям создания традиционных полевых транзисторов, что существенно удешевляет планируемое производство. Your browser does not support the video tag. CNews Forum 2016: Информационные технологии завтра Ссылка на источник