Toshiba представила МОП-транзисторы с каналом n-типа и низким сопротивлением в открытом состоянии

Компания Toshiba Electronics Europe расширила серию низковольтных мощных МОП-транзисторов с каналом n-типа на основе технологии U-MOS IX-H и представила новые устройства на 40 и 45 В, обладающие низким сопротивлением в открытом состоянии и высоким быстродействием. Новые транзисторы (девять моделей на напряжение 40 В и пять моделей на 45 В) предназначены для работы в промышленных и бытовых устройствах, включая высокоэффективные преобразователи постоянного тока, высокоэффективные преобразователи переменного тока в постоянный, источники питания и приводы электродвигателей, сообщили CNews в Toshiba. В новых МОП-транзисторах используется технологический процесс формирования структуры канавки последнего поколения U-MOS IX-H для низковольтных устройств, что позволяет сочетать низкое сопротивление в открытом состоянии и низкий выходной заряд и добиться быстрой работы устройства. Максимальное значение RDS(ON) (при VGS = 10 В) составляет от 0,80 до 7,5 мОм в зависимости от устройства, рассказали в компании. Как отмечается, новая структура позволяет снизить показатель добротности RDS(ON) * Qsw, повышая эффективность переключения до уровня, превосходящего характеристики выпускающихся в настоящее время устройств Toshiba. Потери на выходе уменьшаются за счет снижения выходного заряда, что обеспечивает более высокую эффективность устройств. Кроме того, структуры ячеек новых МОП-транзисторов оптимизированы для подавления импульсных напряжений и затухающих колебаний при переключении, что помогает снизить уровень электромагнитных помех в системе, рассказали в компании.

Последнее дополнение серии низковольтных устройств на основе технологического процесса U-MOS IX-H В качестве основных корпусов используются SOP-Advance размером 5 мм x 6 мм и TSON-Advance размером 3 мм x 3 мм. Все новые устройства поддерживают управление сигналами логического уровня 4,5 В. Ссылка на источник