Samsung начинает поставки eMRAM на базе техпроцесса FD-SOI 28 нм

Samsung Electronics объявила о начале массового производства своей первой встраиваемой магниторезистивной оперативной памяти (embedded magnetic random access memory, eMRAM) на базе 28-нм технологического процесса FD-SOI (fully-depleted silicon-on-insulator – полностью обедненный кремний на изоляторе), получившего название 28FDS. Технологический процесс 28FD-SOI предусматривает более эффективное управление транзисторами и минимизацию токов утечки за счет управления напряжением смещения относительно корпуса (body-bias control). Благодаря этому представленное Samsung решение eMRAM обеспечивает преимущества для различных сфер применения микроконтроллеров, устройств Интернета вещей и технологий искусственного интеллекта. Поскольку технология eFlash столкнулась с проблемами масштабируемости, обусловленными тем, что она опирается на принцип накопления заряда, наиболее многообещающим преемником для нее стала технология eMRAM. Магниторезистивный эффект, лежащий в ее основе, предполагает высокую масштабируемость и обеспечивает превосходные технические характеристики, в том числе энергонезависимость, возможность произвольного доступа и высокую износостойкость. Представленное Samsung решение eMRAM на базе 28FDS обеспечивает преимущества с точки зрения энергопотребления и скорости при меньшей стоимости. Скорость записи у этой технологии примерно в тысячу раз выше, чем у eFlash, так как eMRAM не требует цикла стирания перед записью данных. Кроме того, память eMRAM использует более низкие уровни напряжения, чем eFlash, и не потребляет энергию в выключенном режиме, за счет чего достигается более высокая энергоэффективность. Поскольку модуль eMRAM можно интегрировать в конце технологического процесса (back-end of the process) с добавлением минимального числа слоев, он в меньшей степени зависит от первых стадий (front-end), что предполагает простую интеграцию с уже существующими технологиями изготовления логики. Благодаря «встраиваемой» (plug-in) модульной концепции заказчики получают возможность использования уже существующей инфраструктуры проектирования, даже с новой технологией eMRAM, что ведёт к снижению издержек. «Мы очень гордимся нашими достижениями в области технологий встроенной энергонезависимой памяти (eNVM) и рады, что сумели преодолеть сложности, обусловленные использованием новых материалов, – говорит сказал Райан Ли (Ryan Lee), вице-президент по маркетингу полупроводниковых решений Samsung Electronics. – Интегрируя eMRAM с существующими технологиями изготовления логики, Samsung продолжает расширять портфель процессов eNVM, предлагая новые решения для удовлетворения потребностей клиентов и рынка». В течение ближайшего года Samsung намерена расширить портфолио решений eNVM высокой плотности, в частности, передать в производство тестовый чип eMRAM емкостью 1 ГБ. Короткая ссылка на материал: http://cnews.ru/link/n465181 Ссылка на источник