Snapdragon 835 выйдет в начале 2017 года

Компании Samsung Electronics и Qualcomm Technologies объявили о совместной работе над процессором Snapdragon 835, в основу которого ляжет первая в мире однокристальная система на базе 10-нм техпроцесса FinFET, разработанная южнокорейским брендом. Это позволит уменьшить габариты чипсета, так как новая технология обеспечивает на 30% более высокую удельную эффективность поверхности, а также повысить производительность на 27% и снизить потребление энергии на 40% по сравнению с предшественниками, использовавшими 14-нм техпроцесс. Таким образом, производители смогут использовать внутреннее пространство корпуса более эффективно. Немалое внимание в процессоре уделяется скорости зарядке и безопасности, так как это одни из ключевых факторов для покупателей. Прежде всего, новая технология Quick Charge 4.0 позволит сделать процесс подзарядки быстрее на 20% быстрее и на 30% эффективнее, чем в предыдущем поколении. Данные улучшения в сочетании со специальной четырехуровневой системой защиты снизит возможность перегрева аккумулятора и зарядного устройства. С Quick Charge 4.0 средняя батарея емкостью 2750 мАч за 5 минут заряжается для 5 часов использования, а за 15 минут — до 50%. Технология поддерживает работу с разъемами USB Type-C и USB Power Delivery. Первые смартфоны на базе Snapdragon 835 должны появиться на рынке уже в начале следующего года, не исключено, что одним из них станет Samsung Galaxy S8.
Иллюстративный материал Technobuffalo.com © СОТОВИК Ссылка на источник