Samsung начала производство 512 ГБ памяти eUFS для мобильных устройств нового поколения

Samsung Electronics Co., Ltd. объявила о запуске серийного производства первой в отрасли 512-гигабайтной встроенной памяти Universal Flash Storage (eUFS), предназначенной для мобильных устройств нового поколения. Благодаря использованию 64-слойных 512-гигабитных чипов V-NAND Samsung, новый пакет 512 ГБ eUFS обеспечивает большой объем памяти и высокую производительность для новых смартфонов и планшетов топ-класса. «Новая память Samsung 512 ГБ eUFS является наилучшим решением встроенной памяти для смартфонов премиум-класса нового поколения, так как позволяет преодолеть потенциальные ограничения системной производительности, которые могут наблюдаться при использовании карт microSD, — заявил Джесу Хан, исполнительный вице-президент, подразделения продаж и маркетинга решений памяти, Samsung Electronics. — Обеспечивая стабильные поставки этой современной встроенной памяти на раннем этапе, компания Samsung совершает значительный шаг вперед с точки зрения своевременного выпуска мобильных устройств нового поколения мобильными производителями по всему миру». Состоящая из восьми 64-слойных чипов 512 Гб V-NAND и контроллерного чипа, которые объединены между собой, новая память 512 ГБ UFS от Samsung вдвое превышает в плане плотности записи предыдущую 48-слойную память 256 ГБ eUFS на основе V-NAND от Samsung, имея при этом такой же объем, как и пакет 256 ГБ. Увеличившийся объем памяти eUFS обеспечит намного больше возможностей при использовании мобильных устройств. Например, новая память eUFS большой емкости позволяет хранить на смартфоне топ-уровня приблизительно 130 10-минутных видеоклипов в разрешении 4K Ultra HD (3840x2160),что приблизительно в десять раз превосходит возможности памяти 64 ГБ eUFS, которая позволяет хранить только 13 видеоклипов аналогичного размера. Чтобы максимально повысить показатели производительности и энергоэффективности новой памяти 512 ГБ eUFS, компания Samsung внедрила новый набор собственных технологий. Современная конструкция микросхемы 64-слойной памяти 512 Гб V-NAND и новая технология управления питанием в контроллере 512 ГБ eUFS минимизируют неизбежное увеличение энергопотребления, что особенно заметно, так как новое решение 512 ГБ eUFS содержит вдвое больше ячеек по сравнению с памятью 256 ГБ eUFS. Кроме того, чип контроллера 512 ГБ eUFS ускоряет процесс сопоставления, преобразуя адреса логических блоков в адреса физических блоков. Память 512 ГБ eUFS от Samsung также отличается высокой скоростью чтения и записи. Скорость последовательного чтения и записи достигает 860 МБ/с и 255 МБ/с соответственно, благодаря чему встроенная память 512 ГБ обеспечивает передачу видеоклипа Full HD размером 5 ГБ на твердотельный диск примерно за шесть секунд, что более чем в восемь раз быстрее типичной карты microSD. Что касается произвольных операций, новая память eUFS обеспечивает скорость чтения 42 000 операций ввода-вывода в секунду и скорость записи 40 000 операций ввода-вывода в секунду. Благодаря высокой скорости произвольной записи памяти eUFS, которая примерно в 400 раз превосходит скорость 100 операций ввода-вывода в секунду, характерную для традиционных карт microSD, пользователи мобильных устройств могут полноценно пользоваться мультимедийными функциями, например вести серийную съемку в высоком разрешении, а также искать файлы и загружать видео в режиме просмотра с двумя приложениями. Кроме того, компания Samsung планирует постоянно увеличивать объемы производства своих 64-слойных чипов 512 Гб V-NAND, помимо расширения производства чипов 256 Гб V-NAND. Это позволит удовлетворить потребность в спросе на современную встроенную мобильную память, а также на твердотельные диски премиум-уровня и съемные карты памяти с высокой плотностью записи данных и производительностью. Ссылка на источник