Samsung представил чип Exynos 8 Octa со встроенным LTE-модемом

Для производства процессора Exynos 8 Octa был использован 14-нанометровый FinFET техпроцесс. Это первый чип который получил ядра, разработанные Samsung самостоятельно. Четыре ядра, базирующиеся на 64-разрядной архитектуре ARMv8, - собственная разработка южнокорейской компании. Другие четыре ядра - ARM Cortex-A53. Разработчики впервые встроили в свой чип LTE-модуль (LTE Rel.12 Cat.12/13), поддерживающий скорость передачи данных до 600 Мб/с при загрузке данных и до 150 Мб/с при отправке. Столь высокие скорости достигаются за счет работы с частотами, агрегированными из разных диапазонов. В компании отмечают, что данное усовершенствование позволит вывести быстродействие приложений на новый уровень. Графика обрабатывается встроенным 12-ядерным профессором ARM Mali-T880. Чип поддерживает разрешение дисплея 4K UHD (4096x2160) и WQUXGA (3840x2400). В заявлении компании говорится, что новый Exynos 8 демонстрирует производительность на 30% выше и энергоэффективность на 10% выше, чем Exynos 7 Octa. Массовое производство процессора будет запущено в конце 2015 года. Вероятнее всего, что он будет использован в новом флагмане Samsung - Galaxy S7, который должен выйти в 2016 году. Ссылка на источник